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便携式电子专属的Microchip1.8V进口晶体振荡器DSC1001BI1-038.4000

2023-05-22 15:04:13 

便携式电子专属的Microchip1.8V进口晶体振荡器DSC1001BI1-038.4000,Microchip晶振是一家成长型知名企业,并且十分擅长发展市场的需求,也具备快速交付的能力,使得其能够在同行之中占据一定的竞争优势,Microchip发布编码DSC1001BI1-038.4000,DSC1001/3/4是基于硅MEMS的CMOS输出晶振家族,提供优秀的抖动和性能稳定,供应范围广电压和温度。设备从1MHz至150MHz,电源电压在1.8至3.3伏,温度范围-40℃~105°C。DSC1001/3/4包含一个全硅谐振器它非常健壮,几乎不受压力的影响相关断裂,常见的晶体振荡器。

原厂代码 晶振厂家 型号 类型 频率 电压
DSC1001AI2-064.0000T Microchip晶振 DSC1001 MEMS (Silicon) 64MHz 1.8 V ~ 3.3 V
DSC1001BI2-014.3181T Microchip晶振 DSC1001 MEMS (Silicon) 14.3181MHz 1.8 V ~ 3.3 V
DSC1003DI2-100.0000T Microchip晶振 DSC1003 MEMS (Silicon) 100MHz 1.8 V ~ 3.3 V
DSC1001AI1-033.0000T Microchip晶振 DSC1001 MEMS (Silicon) 33MHz 1.7 V ~ 3.6 V
DSC1001CI2-001.9521T Microchip晶振 DSC1001 MEMS (Silicon) 1.9521MHz 1.7 V ~ 3.6 V
DSC1001CI2-010.4857T Microchip晶振 DSC1001 MEMS (Silicon) 10.4857MHz 1.7 V ~ 3.6 V
DSC1001CE2-012.0000T Microchip晶振 DSC1001 MEMS (Silicon) 12MHz 1.8 V ~ 3.3 V
DSC1001DI2-011.0592T Microchip晶振 DSC1001 MEMS (Silicon) 11.0592MHz 1.8 V ~ 3.3 V
DSC1001DI2-004.0000T Microchip晶振 DSC1001 MEMS (Silicon) 4MHz 1.7 V ~ 3.6 V
DSC1001DI2-045.1584T Microchip晶振 DSC1001 MEMS (Silicon) 45.1584MHz 1.7 V ~ 3.6 V
DSC1001DI2-049.1520T Microchip晶振 DSC1001 MEMS (Silicon) 49.152MHz 1.7 V ~ 3.6 V
DSC1121DI5-044.0000 Microchip晶振 DSC1121 MEMS (Silicon) 44MHz 2.25 V ~ 3.6 V
DSC1001AE2-002.0480T Microchip晶振 DSC1001 MEMS (Silicon) 2.048MHz 1.8 V ~ 3.3 V
DSC1033CI1-033.0000T Microchip晶振 DSC1033 MEMS (Silicon) 33MHz 3.3V
DSC1033AI1-001.5000 Microchip晶振 DSC1033 MEMS (Silicon) 1.5MHz 3.3V
DSC1004BI2-010.0000 Microchip晶振 DSC1004 MEMS (Silicon) 10MHz 1.8 ~ 3.3V
DSC1001CE1-086.5600T Microchip晶振 DSC1001 MEMS (Silicon) 86.56MHz 1.8 V ~ 3.3 V
DSC1001CE1-125.0000 Microchip晶振 DSC1001 MEMS (Silicon) 125MHz 1.8 V ~ 3.3 V
DSC1001CE1-125.0000T Microchip晶振 DSC1001 MEMS (Silicon) 125MHz 1.8 V ~ 3.3 V
DSC1121DI5-044.7360 Microchip晶振 DSC1121 MEMS (Silicon) 44.736MHz 2.25 V ~ 3.6 V
DSC1001BI1-038.4000 Microchip晶振 DSC1001 MEMS (Silicon) 38.4MHz 1.8 V ~ 3.3 V
DSC1001BI1-038.4000T Microchip晶振 DSC1001 MEMS (Silicon) 38.4MHz 1.8 V ~ 3.3 V
DSC1001DL2-049.5000T Microchip晶振 DSC1001 MEMS (Silicon) 49.5MHz 1.8 V ~ 3.3 V
DSC1001CI2-033.3330T Microchip晶振 DSC1001 MEMS (Silicon) 33.333MHz 1.8 V ~ 3.3 V
DSC1001CI2-001.9512T Microchip晶振 DSC1001 MEMS (Silicon) 1.9512MHz 1.7 V ~ 3.6 V
DSC1033CC2-024.0000 Microchip晶振 DSC1033 MEMS (Silicon) 24MHz 3.3V
DSC1033CC2-025.0000 Microchip晶振 DSC1033 MEMS (Silicon) 25MHz 3.3V
DSC1001CC1-076.0686T Microchip晶振 DSC1001 MEMS (Silicon) 76.0686MHz 1.8 V ~ 3.3 V
DSC1001CI4-002.0480T Microchip晶振 DSC1001 MEMS (Silicon) 2.048MHz 1.8 V ~ 3.3 V
DSC1001CI4-049.1520T Microchip晶振 DSC1001 MEMS (Silicon) 49.152MHz 1.8 V ~ 3.3 V
DSC1001CI4-054.0000T Microchip晶振 DSC1001 MEMS (Silicon) 54MHz 1.8 V ~ 3.3 V
DSC1001DE1-075.0000T Microchip晶振 DSC1001 MEMS (Silicon) 75MHz 1.8 V ~ 3.3 V
DSC1018BC1-054.0000T Microchip晶振 DSC1018 MEMS (Silicon) 54MHz 1.8V
DSC1001DE1-074.2500 Microchip晶振 DSC1001 MEMS (Silicon) 74.25MHz 1.8 V ~ 3.3 V
DSC1025BC2-133.0000 Microchip晶振 DSC1025 MEMS (Silicon) 133MHz 2.5V
DSC1001DC5-038.8800T Microchip晶振 DSC1001 MEMS (Silicon) 38.88MHz 1.8 V ~ 3.3 V
DSC1001DE1-125.0000T Microchip晶振 DSC1001 MEMS (Silicon) 125MHz 1.8 V ~ 3.3 V
DSC1004CI2-033.0000T Microchip晶振 DSC1004 MEMS (Silicon) 33MHz 1.8 ~ 3.3V
DSC1004CI2-054.0000T Microchip晶振 DSC1004 MEMS (Silicon) 54MHz 1.8 ~ 3.3V
DSC1033CC2-012.0000T Microchip晶振 DSC1033 MEMS (Silicon) 12MHz 3.3V
DSC1033DC2-012.0000T Microchip晶振 DSC1033 MEMS (Silicon) 12MHz 3.3V
DSC1001CC2-100.0000 Microchip晶振 DSC1001 MEMS (Silicon) 100MHz 1.8 V ~ 3.3 V
DSC1001CC2-125.0000 Microchip晶振 DSC1001 MEMS (Silicon) 125MHz 1.8 V ~ 3.3 V
DSC1001DC5-012.0000 Microchip晶振 DSC1001 MEMS (Silicon) 12MHz 1.8 V ~ 3.3 V
DSC1001DC5-024.5760 Microchip晶振 DSC1001 MEMS (Silicon) 24.576MHz 1.8 V ~ 3.3 V
DSC1001DC5-038.8800 美国Microchip有源晶振 DSC1001 MEMS (Silicon) 38.88MHz 1.8 V ~ 3.3 V
DSC1001DC5-040.0000 Microchip晶振 DSC1001 MEMS (Silicon) 40MHz 1.8 V ~ 3.3 V
DSC1001DE1-125.0000 Microchip晶振 DSC1001 MEMS (Silicon) 125MHz 1.8 V ~ 3.3 V
DSC1033DC2-012.0000 Microchip晶振 DSC1033 MEMS (Silicon) 12MHz 3.3V
DSC1004CI2-027.0000T Microchip晶振 DSC1004 MEMS (Silicon) 27MHz 1.8 ~ 3.3V
DSC1018DE1-125.0000T Microchip晶振 DSC1018 MEMS (Silicon) 125MHz 1.8V
DSC1101DL1-100.0000 Microchip晶振 DSC1101 MEMS (Silicon) 100MHz 2.25 V ~ 3.6 V
DSC1018BC1-080.0000T Microchip晶振 DSC1018 MEMS (Silicon) 80MHz 1.8V
DSC1001AE1-066.6660 Microchip晶振 DSC1001 MEMS (Silicon) 66.666MHz 1.8 V ~ 3.3 V
DSC1001AE1-066.6660T Microchip晶振 DSC1001 MEMS (Silicon) 66.666MHz 1.8 V ~ 3.3 V
DSC1001DC5-012.8000T Microchip晶振 DSC1001 MEMS (Silicon) 12.8MHz 1.7 V ~ 3.6 V
DSC1018BC1-100.0000T Microchip晶振 DSC1018 MEMS (Silicon) 100MHz 1.65 V ~ 1.95V
DSC1001DL1-025.2000T Microchip晶振 DSC1001 MEMS (Silicon) 25.2MHz 1.7 V ~ 3.6 V
DSC1121DI1-125.0000T Microchip晶振 DSC1121 MEMS (Silicon) 125MHz 2.25 V ~ 3.6 V
便携式电子专属的Microchip1.8V进口晶体振荡器DSC1001BI1-038.4000,不牺牲性能和稳定性需要的系统,一个无晶体的设计允许更高级别的可靠性,使DSC1001/3/4适用于坚固,工业和便携式应力,冲击和振动可以破坏基于石英晶体的系统。可在行业标准软件包中使用DSC1001/3/4可以“插入”到同一PCB上作为标准进口晶体振荡器的足迹,DSC1003和DSC1004相同功能和性能与DSC1001一样,但是具有25pf和40pf的更高输出驱动器.DSC1004 DSC1003 DSC1001 SMD晶振特性:频率范围:1mhz~150mhz,特殊的温度稳定性±10ppm,±20ppm,±25ppm,±50ppm,工作电压1.7 ~ 3.6V,工作温度范围,工业用- 40°C至105°C,工业用- 40℃~ 85℃,商用—20℃~ 70℃,低工作和待机电流,6ma工作(1mhz),15µA待机(最大),超微型足迹,2.5mm×2.0mm×0.85mm,3.2mm×2.5mm×0.85mm,5.0mm×3.2mm×0.85mm,7.0mm×5.0mm×0.85mm,MIL-STD883抗冲击和振动,无铅,RoHS,达到SVHC标准,通过AEC-Q100可靠性认证.

应用程序:移动应用,消费电子产品,便携式电子产品,DVR, CCTV,监控摄像头,低调应用,工业应用等领域。

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