高精密的CMOS输出晶振常常用于通信设备X1G005591024000

高精密的CMOS输出晶振常常用于通信设备X1G005591024000，科技带来创新，当我们能够快速感知到新型的高科技产品穷出不尽，便能够感知到世界的变化，每时每刻都处于变化之中，当高科技与石英晶体振荡器搭配时，一款有灵魂的产品便诞生了，当晶振与其产品密切的链接时，说明搭配非常合拍，晶振能够与众多的电子产品形成完美的搭配，在于其所蕴含的高价值。

爱普推出了编码X1G005591024000，频率24.000000兆赫，输出CMOS输出晶振，供电电压1.62至3.63 V，尺寸(长×宽×高)3.20 × 2.50 × 1.20毫米，工作温度-40到+105°C，频率公差±50ppm额外的OptionsN /OSC TypeProgrammable Clock时钟OSC。

Product Number	爱普生晶振型号	Frequency	LxWxH	Output Wave	Supply Voltage	Ope Temperature	Freq. Tol.	I [Max]
X1G005591022800	SG-8018CE	44.236000 MHz	3.20 x 2.50 x 1.20 mm	CMOS	1.620 to 3.630 V	-40 to 105 °C	+/-50 ppm	≤ 4.4 mA
X1G005591022900	SG-8018CE	100.000000 MHz	3.20 x 2.50 x 1.20 mm	CMOS	1.620 to 3.630 V	-40 to 105 °C	+/-50 ppm	≤ 5.9 mA
X1G005591023000	SG-8018CE	27.120000 MHz	3.20 x 2.50 x 1.20 mm	CMOS	1.620 to 3.630 V	-40 to 105 °C	+/-50 ppm	≤ 4.4 mA
X1G005591023100	SG-8018CE	30.000000 MHz	3.20 x 2.50 x 1.20 mm	CMOS	1.620 to 3.630 V	-40 to 105 °C	+/-50 ppm	≤ 4.4 mA
X1G005591023400	SG-8018CE	12.500000 MHz	3.20 x 2.50 x 1.20 mm	CMOS	1.620 to 3.630 V	-40 to 105 °C	+/-50 ppm	≤ 3.5 mA
X1G005591023500	SG-8018CE	38.200000 MHz	3.20 x 2.50 x 1.20 mm	CMOS	1.620 to 3.630 V	-40 to 105 °C	+/-50 ppm	≤ 4.4 mA
X1G005591023600	SG-8018CE	16.670000 MHz	3.20 x 2.50 x 1.20 mm	CMOS	1.620 to 3.630 V	-40 to 105 °C	+/-50 ppm	≤ 3.5 mA
X1G005591023700	SG-8018CE	37.125000 MHz	3.20 x 2.50 x 1.20 mm	CMOS	1.620 to 3.630 V	-40 to 105 °C	+/-50 ppm	≤ 4.4 mA
X1G005591023800	SG-8018CE	20.480000 MHz	3.20 x 2.50 x 1.20 mm	CMOS	1.620 to 3.630 V	-40 to 105 °C	+/-50 ppm	≤ 4.4 mA
X1G005591023900	SG-8018CE	6.750000 MHz	3.20 x 2.50 x 1.20 mm	CMOS	1.620 to 3.630 V	-40 to 105 °C	+/-50 ppm	≤ 3.5 mA
X1G005591024000	SG-8018CE	24.000000 MHz	3.20 x 2.50 x 1.20 mm	CMOS	1.620 to 3.630 V	-40 to 105 °C	+/-50 ppm	≤ 4.4 mA
X1G005591024100	SG-8018CE	33.333000 MHz	3.20 x 2.50 x 1.20 mm	CMOS	1.620 to 3.630 V	-40 to 105 °C	+/-50 ppm	≤ 4.4 mA
X1G005591024200	SG-8018CE	24.545454 MHz	3.20 x 2.50 x 1.20 mm	CMOS	1.620 to 3.630 V	-40 to 105 °C	+/-50 ppm	≤ 4.4 mA
X1G005591024300	SG-8018CE	16.500000 MHz	3.20 x 2.50 x 1.20 mm	CMOS	1.620 to 3.630 V	-40 to 105 °C	+/-50 ppm	≤ 3.5 mA
X1G005591024400	SG-8018CE	3.579545 MHz	3.20 x 2.50 x 1.20 mm	CMOS	1.620 to 3.630 V	-40 to 105 °C	+/-50 ppm	≤ 3.5 mA
X1G005591024500	SG-8018CE	76.500000 MHz	3.20 x 2.50 x 1.20 mm	CMOS	1.620 to 3.630 V	-40 to 105 °C	+/-50 ppm	≤ 5.9 mA
X1G005591024600	SG-8018CE	19.800000 MHz	3.20 x 2.50 x 1.20 mm	CMOS	1.620 to 3.630 V	-40 to 105 °C	+/-50 ppm	≤ 3.5 mA
X1G005591024700	SG-8018CE	1.024000 MHz	3.20 x 2.50 x 1.20 mm	CMOS	1.620 to 3.630 V	-40 to 105 °C	+/-50 ppm	≤ 3.5 mA
X1G005591024800	SG-8018CE	14.318000 MHz	3.20 x 2.50 x 1.20 mm	CMOS	1.620 to 3.630 V	-40 to 105 °C	+/-50 ppm	≤ 3.5 mA
X1G005591024900	SG-8018CE	4.915200 MHz	3.20 x 2.50 x 1.20 mm	CMOS	1.620 to 3.630 V	-40 to 105 °C	+/-50 ppm	≤ 3.5 mA
X1G005591025000	SG-8018CE	66.666660 MHz	3.20 x 2.50 x 1.20 mm	CMOS	1.620 to 3.630 V	-40 to 105 °C	+/-50 ppm	≤ 5.2 mA
X1G005591025100	SG-8018CE	1.344000 MHz	3.20 x 2.50 x 1.20 mm	CMOS	1.620 to 3.630 V	-40 to 105 °C	+/-50 ppm	≤ 3.5 mA
X1G005591025200	SG-8018CE	1.490944 MHz	3.20 x 2.50 x 1.20 mm	CMOS	1.620 to 3.630 V	-40 to 105 °C	+/-50 ppm	≤ 3.5 mA
X1G005591025300	SG-8018CE	1.638400 MHz	3.20 x 2.50 x 1.20 mm	CMOS	1.620 to 3.630 V	-40 to 105 °C	+/-50 ppm	≤ 3.5 mA

高精密的CMOS输出晶振常常用于通信设备X1G005591024000，进口晶体振荡器是利用石英晶体(二氧化硅的结晶体)的压电效应制成的一种谐振器件，它的基本构成大致是：从一块石英晶体上按一定方位角切下薄片(简称为晶片，它可以是正方形、矩形或圆形等)，在它的两个对应面上涂敷银层作为电极，在每个电极上各焊一根引线接到管脚上，再加上封装外壳就构成了石英晶体谐振器，简称为石英晶体或晶体、晶振。其产品一般用金属外壳封装，也有用玻璃壳、陶瓷或塑料封装的。

为了能让振荡器（俗称晶振）在稳定的情况下保持高精度，通常用石英晶体来做频率确定设备，以产生另一种通常称为石英晶体振荡器(XO)的振荡器电路。当电压施加到一小块压电石英晶体上时，它开始改变形状，产生一种称为压电效应的特性。这种压电效应是晶体的特性，通过这种特性，电荷通过改变晶体的形状来产生机械力，反之亦然，施加到晶体上的机械力会产生电荷。然后，压电设备可以归类为换能器，因为它们将一种能量转换为另一种能量（电到机械或机械到电）。这种压电效应会产生机械振动或振荡，可用于替代以前振荡器中的标准LC谐振电路。

有许多不同类型的晶体物质可以用作振荡器，其中最重要的电子电路都使用石英晶体，很大部分原因是石英晶体具有更高的机械强度。