Diodes公司专注研发设计,生产销售高精度的石英晶振,有源晶振,时钟晶体振荡器等产品,具备高可靠性,低损耗的产品深受市场的欢迎，使得亚陶的每一款产品都畅销于世界各地。亚陶宣布推出 PI6C59xxxxx 系列差分时钟缓冲器。该系列支持高达400Gbit/s的以太网速度，非常适合数据中心和5G基站等高性能应用。diodes品牌亚陶晶振推出5032封装高品质的时钟振荡器PD5000002,常用于电子产品

FN7770026	Diodes晶振	SaRonix-eCera™ FN	77.76MHz	±25ppm	-20°C ~ 70°C
NX5061E0156.250000	Diodes晶振	SaRonix-eCera™ NX	156.25MHz	±50ppm	-40°C ~ 85°C
YNWMAX153	Diodes晶振	SaRonix-eCera™ YN	153.6MHz	±35ppm	-40°C ~ 85°C
NX3232E0156.250000	Diodes晶振	SaRonix-eCera™ NX	156.25MHz	±50ppm	-40°C ~ 85°C
SXF000005	Diodes晶振	SaRonix-eCera™ SX	150MHz	±50ppm	-40°C ~ 85°C
SXF550009	Diodes晶振	SaRonix-eCera™ SX	155.52MHz	±50ppm	-40°C ~ 85°C
SXF620003	Diodes晶振	SaRonix-eCera™ SX	156.25MHz	±50ppm	-40°C ~ 85°C
FDC500016	Diodes晶振	SaRonix-eCera™ FD	125MHz	±20ppm	-20°C ~ 70°C
FDC500019	Diodes晶振	SaRonix-eCera™ FD	125MHz	±20ppm	-20°C ~ 70°C
UM2600001	Diodes晶振	SaRonix-eCera™ UM	26MHz	±20ppm	-30°C ~ 85°C
FRSONT077	Diodes晶振	SaRonix-eCera™ FR	77.76MHz	±50ppm	-40°C ~ 85°C
SXF550011	Diodes晶振	SaRonix-eCera™ SX	155.52MHz	±20ppm	-20°C ~ 70°C
FN6660081	Diodes晶振	SaRonix-eCera™ FN	66.667MHz	±25ppm	-40°C ~ 85°C
FN7410004	Diodes晶振	SaRonix-eCera™ FN	74.175MHz	±25ppm	-40°C ~ 85°C
FN7420007	Diodes晶振	SaRonix-eCera™ FN	74.25MHz	±25ppm	-40°C ~ 85°C
FN7770028	Diodes晶振	SaRonix-eCera™ FN	77.76MHz	±25ppm	-40°C ~ 85°C
FN7770029	Diodes晶振	SaRonix-eCera™ FN	77.76MHz	±20ppm	-20°C ~ 70°C
FN8000056	Diodes晶振	SaRonix-eCera™ FN	80MHz	±50ppm	-40°C ~ 85°C
FN8000059	Diodes晶振	SaRonix-eCera™ FN	80MHz	±50ppm	-20°C ~ 70°C
FN8330020	Diodes晶振	SaRonix-eCera™ FN	83.33MHz	±50ppm	-40°C ~ 85°C
FN8500004	Diodes晶振	SaRonix-eCera™ FN	85MHz	±50ppm	-20°C ~ 70°C
FN9000013	Diodes晶振	SaRonix-eCera™ FN	90MHz	±50ppm	-20°C ~ 70°C

百利通亚陶晶振对从25Gbit/s到400Gbit/s（称为太比特以太网或 TbE）运行的网络速度的需求正在增加，这使交换机和路由器的设计人员面临着在更具挑战性的环境中保持信号完整性的压力。PI6C59xxxxx 系列差分时钟缓冲器提供更好的信号裕度，同时扩展了车载宽温晶体振荡器,以及高速通信中使用的所有时钟和数据信号的驱动能力。它涵盖了大量的速度和技术，以及输入和输出配置的组合。

FN9600006	Diodes晶振	SaRonix-eCera™ FN	96MHz	±25ppm	-20°C ~ 70°C
FN9830014	Diodes晶振	SaRonix-eCera™ FN	98.304MHz	±50ppm	-20°C ~ 70°C
FNA000068	Diodes晶振	SaRonix-eCera™ FN	100MHz	±50ppm	-40°C ~ 85°C
FNA000070	Diodes晶振	SaRonix-eCera™ FN	100MHz	±50ppm	-20°C ~ 70°C
FNA000071	Diodes晶振	SaRonix-eCera™ FN	100MHz	±50ppm	-40°C ~ 85°C
FNA000072	Diodes晶振	SaRonix-eCera™ FN	100MHz	±50ppm	-20°C ~ 70°C
FNA000073	Diodes晶振	SaRonix-eCera™ FN	100MHz	±25ppm	-20°C ~ 70°C
FNA620047	Diodes晶振	SaRonix-eCera™ FN	106.25MHz	±50ppm	-20°C ~ 70°C
FNA620048	Diodes晶振	SaRonix-eCera™ FN	106.25MHz	±25ppm	-20°C ~ 70°C
FNA620049	Diodes晶振	SaRonix-eCera™ FN	106.25MHz	±50ppm	-40°C ~ 85°C
FNA620050	Diodes晶振	SaRonix-eCera™ FN	106.25MHz	±25ppm	-20°C ~ 70°C
FNA620052	Diodes晶振	SaRonix-eCera™ FN	106.25MHz	±50ppm	-40°C ~ 85°C
FNA800007	Diodes晶振	SaRonix-eCera™ FN	108MHz	±50ppm	-20°C ~ 70°C
FNA800008	Diodes晶振	SaRonix-eCera™ FN	108MHz	±25ppm	-20°C ~ 70°C
FNC500106	Diodes晶振	SaRonix-eCera™ FN	125MHz	±25ppm	-20°C ~ 70°C
FNC500126	Diodes晶振	SaRonix-eCera™ FN	125.001MHz	±25ppm	-20°C ~ 70°C
FNC500128	Diodes晶振	SaRonix-eCera™ FN	125MHz	±50ppm	-20°C ~ 70°C
FNC500130	Diodes晶振	SaRonix-eCera™ FN	125MHz	±50ppm	-40°C ~ 85°C
FNC500132	Diodes晶振	SaRonix-eCera™ FN	125MHz	±25ppm	-20°C ~ 70°C
FNC500138	Diodes晶振	SaRonix-eCera™ FN	125.003MHz	±25ppm	-20°C ~ 70°C
FNC510001	Diodes晶振	SaRonix-eCera™ FN	125.12Mhz	±50ppm	-40°C ~ 85°C
FNC700004	Diodes晶振	SaRonix-eCera™ FN	127MHz	±50ppm	-20°C ~ 70°C
FND300015	Diodes晶振	SaRonix-eCera™ FN	133MHz	±25ppm	-20°C ~ 70°C
FND300017	Diodes晶振	SaRonix-eCera™ FN	133MHz	±50ppm	-20°C ~ 70°C

PI6C59xxxxx系列中的器件旨在增加时钟源的扇出并改善在 1.5GHz 和 6GHz 之间运行的通信应用中的时钟和/或数据分布。这涵盖了 25G、40G、56G、100G 和 400GbE，满足需要低抖动和快速上升/下降时间的各种应用的需求。器件的超低附加抖动约为10fs，以提供改进的抖动余量以保持整体精度。所有进口晶体振荡器,以及其他器件均采用 TQFN 封装外形，并以小尺寸提供良好的导热性。这对于供应商需要更高功率密度、性能、带宽和功能的数据中心和基站应用来说越来越重要。diodes品牌亚陶晶振推出5032封装高品质的时钟振荡器PD5000002,常用于电子产品

PI6C59xxxxx 系列有13个变体，涵盖高速网络中使用的所有主要信号技术，包括CML（电流模式逻辑）、LVDS（低压差分信号）或差分振荡器、LVPECL（低压正发射极耦合逻辑）和SSTL （存根串联终止逻辑），以及LVCMOS。配置包括用于扇出缓冲器和数据/时钟缓冲器的 2、4、12 和16输出。