西铁城晶振,贴片晶振,CM309E晶振,CM309E7372800ABJT晶振
频率:4.000MHz~64.000MHz
尺寸:11.7*4.8*3.7mm
西铁城晶振,贴片晶振,CM309E晶振,CM309E7372800ABJT晶振主要应用于电视,机顶盒,LCDM和游戏机家用常规电器数码产品等的佳选择.符合RoHS/无铅.小型SMD有源晶振,体积的变小也试产品带来了更高的的稳定性能,接缝密封石英晶体振荡器,精度高的,覆盖频率范围宽的特点.
西铁城晶振公司为工业市场提供高性能和精密设备,不断开发新技术和新技术在我们的制造业和工程.大多数人只知道日本西铁城公司是做手表,时钟产品类的,其实西铁城公司是一个集团公司,公司有很多个分公司,也生产很多种产品,比如石英晶振系列也是西铁城的主打产品之一
由于贴片晶振晶片很小导致晶体的各类寄生波(如长度伸缩振动,面切变振动)与主振动(厚度切变振动)的耦合加强,从而造成如若石英晶振晶片的长度或宽度尺寸设计不正确、使得振动强烈耦合导致石英晶振的晶片不能正常工作,从而导致产品在客户端不能正常使用,晶振的研发及生产超小型石英晶振完成晶片的设计特别是外形尺寸的设计是首要需解决的技术问题
西铁城晶振 |
单位 |
CM309E |
石英晶振基本条件 |
标准频率 |
f_nom |
4.000MHz~64.000MHz |
标准频率 |
储存温度 |
T_stg |
-55°C ~ +125°C |
裸存 |
工作温度 |
T_use |
-40°C ~ +85°C |
标准温度 |
激励功率 |
DL |
2mW Max. |
推荐:100μW |
频率公差 |
f_— l |
±30 × 10-6 (标准) |
+25°C 对于超出标准的规格说明, |
频率温度特征 |
f_tem |
5.5MHz未満:±50ppm
5.5MHz以上:±30ppm |
超出标准的规格请联系我们. |
负载电容 |
CL |
16PF、18PF |
不同负载电容要求,请联系我们. |
串联电阻(ESR) |
R1 |
如下表所示 |
-40°C — +85°C, DL = 100μW |
频率老化 |
f_age |
±5× 10-6 / year Max. |
+25°C,第一年 |
<晶体谐振器>:如果过大的激励电力对石英晶体谐振器外加电压,有可能导致特性老化或损坏,因此请在宣传册、规格书中规定的范围内使用。让无源晶振振荡的电路宽裕度大致为负性阻抗值。本公司推荐此负性阻抗为谐振器串联电阻规格值的5倍以上,若是车载和安全设备,则推荐10倍 以上。
<晶体振荡器>:晶体振荡器的内部电路使用C-MOS。闭锁、静电对策请和一般的C-MOS IC一样考虑。有些石英晶体振荡器没有和旁路电容器进行内部连接。使用时,请在Vdd-GND之间用0.01μF左右的高频特性较好的电容器(陶瓷片状电容器等)以 短距离连接。关于个别机型请确认宣传册、规格书。
<晶体滤波器>
注意电路板图形的配置,避免输入端子和输出端子靠得太近。
如果贴装晶体滤光片的电路板的杂散电容较大,为了消除该杂散电容,有时需要配置调谐电路。如果过大的激励电力对谐振器外加电压,有可能导致特性老化或损坏,因此请在滤波器的输入电平在−10dBm以下的状态下使用。西铁城晶振,贴片晶振,CM309E晶振,CM309E7372800ABJT晶振
为大力推进二氧化碳减排活动,设立了“防止全球变暖委员会”,加快设计、开发和生产过程中CO2减排活动的步伐.
截止到2006年度,西铁城晶振在国内外的所有生产据点以及国内的非生产据点——西铁城制作所总公司、东京分公司、营业所,发布NDK晶振新闻资讯。
根据员工的职位和业务内容实施环保教育,为了提高员工的环保意识,西铁城晶振对全体员工实施环保教育.并且在2012年对内部监查员培训讲座的教学纲要进行了修改。调整西铁城晶振,贴片晶振,CM309E晶振,CM309E7372800ABJT晶振
2009年度,根据环境管理体系中的规定,西铁城晶振集团在其日本国内的所有事业所和海外的所有生产基地中,建立了西铁城晶振,贴片石英晶体,压控晶振,石英晶体谐振器,西铁城振荡子绿色经营活动的框架。
深圳市康华尔电子有限公司
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