美国Microchip晶振/6G路由器晶振/DSC1103BI2-100.0000T
频率:100MHZ
尺寸:5.00x3.20mm
美国Microchip晶振/6G路由器晶振/DSC1103BI2-100.0000T,尺寸5.00x3.20mm,频率100MHZ,输出逻辑LVDS,电压2.25V ~ 3.63V,频率稳定性25ppm,XO时钟振荡器(标准),脚位6-VDFN,LVDS输出晶振,差分晶体振荡器,有源晶振,有源贴片晶振,差分贴片晶振,小尺寸差分晶振,小尺寸差分晶振,高精度差分晶振,高品质差分晶振,低功耗差分晶振,低电压差分晶振,低抖动差分晶振,路由器专用差分晶振,欧美进口晶振,产品超级适合用于存储区域网络,SATA、SAS、光纤通道,无源光网络,EPON,10G-EPON,GPON,10G-PON,HD/SD/SDI视频和监控,PCI Express第1代/第2代/第3代,显示端口等领域。
DSC1103具有待机功能,允许它 en引脚拉低时完全关断。为 DSC1123,当en为时,仅输出禁用 低。两款差分振荡器均符合行业标准包装,包括最小的2.5毫米x 2.0毫米, 是标准6针LVDS的替代产品晶体振荡器。美国Microchip晶振/6G路由器晶振/DSC1103BI2-100.0000T.
美国Microchip晶振/6G路由器晶振/DSC1103BI2-100.0000T,尺寸5.00x3.20mm,频率100MHZ,输出逻辑LVDS,电压2.25V ~ 3.63V,频率稳定性25ppm,XO时钟振荡器(标准),脚位6-VDFN,LVDS输出晶振,差分晶体振荡器,有源晶振,有源贴片晶振,差分贴片晶振,小尺寸差分晶振,小尺寸差分晶振,高精度差分晶振,高品质差分晶振,低功耗差分晶振,低电压差分晶振,低抖动差分晶振,路由器专用差分晶振,欧美进口晶振,产品超级适合用于存储区域网络,SATA、SAS、光纤通道,无源光网络,EPON,10G-EPON,GPON,10G-PON,HD/SD/SDI视频和监控,PCI Express第1代/第2代/第3代,显示端口等领域。
DSC1103具有待机功能,允许它 en引脚拉低时完全关断。为 DSC1123,当en为时,仅输出禁用 低。两款差分振荡器均符合行业标准包装,包括最小的2.5毫米x 2.0毫米, 是标准6针LVDS的替代产品晶体振荡器。美国Microchip晶振/6G路由器晶振/DSC1103BI2-100.0000T.
美国Microchip晶振/6G路由器晶振/DSC1103BI2-100.0000T 参数表
Parameters | Sym. | Min. | Typ. | Max. | Units | Conditions | |||||||||||||
Supply Voltage (Note 1) | V DD | 2.25 | 3.63 | V | |||||||||||||||
Supply Current | IDD | — | — | 0.095 | mA |
DSC1103, EN pin low; all outputs disabled. |
|||||||||||||
— | 20 | 22 |
DSC1123, EN pin low; all outputs disabled. |
||||||||||||||||
Frequency Stability | Δf | ±10 | ppm |
Includes frequency variations due to initial tolerance, temp., and power supply voltage. |
|||||||||||||||
±20 | |||||||||||||||||||
±25 | |||||||||||||||||||
±50 | |||||||||||||||||||
Aging - First Year | ΔfY1 | ±5 | ppm | One year at +25°C | |||||||||||||||
Aging - After First Year | ΔfY2+ | — | — | <±1 | ppm/yr |
Year two and beyond at +25°C |
|||||||||||||
Start-up Time (Note 2) | tSU | 5 | ms | T = +25°C | |||||||||||||||
Input Logic Levels | VIH | 0.75 x V DD | V | Input logic high | |||||||||||||||
VIL | 0.25 x V DD | Input logic low | |||||||||||||||||
Output Disable Time (Note 3) | tDA | 5 | ns | ||||||||||||||||
Output Enable Time | tEN | 5 | ms | DSC1103 | |||||||||||||||
20 | ns | DSC1123 | |||||||||||||||||
Enable Pull-Up Resistor (Note 4) |
RPU | — | 40 | — | kΩ | Pull-up resistor exist. | |||||||||||||
LVDS Outputs | |||||||||||||||||||
Supply Current | IDD | 29 | 32 | mA | Output enabled, RL = 100Ω | ||||||||||||||
Output Offset Voltage | VOS | 1.125 | 1.4 | V | R = 100Ω Differential | ||||||||||||||
Delta Offset Voltage | ΔVOS | 50 | mV | ||||||||||||||||
Peak-to-Peak Output Swing | VPP | 350 | mV | Single-Ended |
美国Microchip晶振/6G路由器晶振/DSC1103BI2-100.0000T 尺寸图
SPXO晶振产品特性:
低RMS相位抖动:<1 ps(典型值)
高稳定性:±10 ppm、±20 ppm、±25 ppm,±50 ppm
宽温度范围:
-外部工业–40°C至+105°C
-工业-40°C至+85°C
-外部商用-20°C至+70°C
高电源噪声抑制:-50 dBc
宽频率范围:
-2.3 MHz–460 MHz
小型行业标准足迹
-2.5毫米x 2.0毫米
-3.2毫米x 2.5毫米
-5.0毫米x 3.2毫米
-7.0毫米x 5.0毫米
卓越的冲击和振动抗扰性
符合MIL-STD-883
高可靠性
-MTF是基于石英的设备的20倍
低电流消耗
供电范围为2.25V至3.63V
待机和输出启用功能
无铅且符合RoHS
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DSC1103CE1-200.0000T | Microchip振荡器 | DSC1103 | MEMS (Silicon) | 200MHz | 2.25 V ~ 3.6 V |
DSC1103CE1-156.2500T | Microchip振荡器 | DSC1103 | MEMS (Silicon) | 156.25MHz | 2.25 V ~ 3.6 V |
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DSC1123AE1-125.0000T | Microchip振荡器 | DSC1123 | MEMS (Silicon) | 125MHz | 2.25 V ~ 3.6 V |
DSC1122AE2-156.2500 | Microchip振荡器 | DSC1122 | MEMS (Silicon) | 156.25MHz | 2.25 V ~ 3.6 V |
DSC1122BE1-156.2500T | Microchip振荡器 | DSC1122 | MEMS (Silicon) | 156.25MHz | 2.25 V ~ 3.6 V |
DSC1123AE2-040.0000 | Microchip振荡器 | DSC1123 | MEMS (Silicon) | 40MHz | 2.25 V ~ 3.6 V |
DSC1123AI2-040.0000 | Microchip振荡器 | DSC1123 | MEMS (Silicon) | 40MHz | 2.25 V ~ 3.6 V |
DSC1122BI1-100.0000 | Microchip振荡器 | DSC1122 | MEMS (Silicon) | 100MHz | 2.25 V ~ 3.6 V |
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DSC1122BI2-114.2850 | Microchip振荡器 | DSC1122 | MEMS (Silicon) | 114.285MHz | 2.25 V ~ 3.6 V |
DSC1122BI2-155.5200 | Microchip振荡器 | DSC1122 | MEMS (Silicon) | 155.52MHz | 2.25 V ~ 3.6 V |
DSC1122BI2-156.2500 | Microchip振荡器 | DSC1122 | MEMS (Silicon) | 156.25MHz | 2.25 V ~ 3.6 V |
DSC1102BI1-100.0000 | Microchip振荡器 | DSC1102 | MEMS (Silicon) | 100MHz | 2.25 V ~ 3.6 V |
DSC1122AI2-150.0000 | Microchip振荡器 | DSC1122 | MEMS (Silicon) | 150MHz | 2.25 V ~ 3.6 V |
DSC1001DL5-075.0000 | Microchip振荡器 | DSC1001 | MEMS (Silicon) | 75MHz | 1.7 V ~ 3.6 V |
DSC1001DL5-133.3330 | Microchip振荡器 | DSC1001 | MEMS (Silicon) | 133.333MHz | 1.7 V ~ 3.6 V |
DSC1101CM1-075.0000 | Microchip振荡器 | DSC1101 | MEMS (Silicon) | 75MHz | 2.25 V ~ 3.6 V |
DSC1101CM1-033.3333 | Microchip振荡器 | DSC1101 | MEMS (Silicon) | 33.3333MHz | 2.25 V ~ 3.6 V |
DSC1101CM1-005.0000 | Microchip振荡器 | DSC1101 | MEMS (Silicon) | 5MHz | 2.25 V ~ 3.6 V |
DSC1001DI5-080.0000 | Microchip振荡器 | DSC1001 | MEMS (Silicon) | 80MHz | 1.7 V ~ 3.6 V |
DSC1123CE5-100.0000 | Microchip振荡器 | DSC1123 | MEMS (Silicon) | 100MHz | 2.25 V ~ 3.6 V |
DSC1122NI5-025.0020 | Microchip振荡器 | DSC1122 | MEMS (Silicon) | 25.002MHz | 2.25 V ~ 3.6 V |
DSC1103DI5-171.8181T | Microchip振荡器 | DSC1103 | MEMS (Silicon) | 171.8181MHz | 2.25 V ~ 3.6 V |
DSC1103DI5-171.8181 | Microchip振荡器 | DSC1103 | MEMS (Silicon) | 171.8181MHz | 2.25 V ~ 3.6 V |
DSC1102CI5-150.0000T | Microchip Technology | DSC1102 | MEMS (Silicon) | 150MHz | 2.25 V ~ 3.6 V |
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MX553BBA312M500 | Microchip Technology | MX55 | XO (Standard) | 312.5MHz | 2.375 V ~ 3.63 V |
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DSC1001CI2-033.3300 | Microchip Technology | DSC1001 | MEMS (Silicon) | 33.33MHz | 1.8 V ~ 3.3 V |
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DSC1001CI1-050.0000 | Microchip Technology | DSC1001 | MEMS (Silicon) | 50MHz | 1.8 V ~ 3.3 V |
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