希华晶体,SIWARD CRYSTAL,STO-7050B晶振
频率:4~54MHz
尺寸:7.0*5.0*1.3mm
希华晶体,SIWARD CRYSTAL,STO-7050B晶振,温补晶振(TCXO)产品本身具有温度补偿作用,高低温度稳定性:频率精度高0.5PPM~2.0PPM,常用频率:26M,33.6M,38.4M,40M.因产品性能稳定,精度高等优势,被广泛应用到一些比较品质的数码通讯产品领域,导航定位系统,智能手机,WiMAX和无线通信等产品,符合RoHS/无铅.
贴片晶振晶片边缘处理技术:贴片晶振是晶片通过滚筒倒边,主要是为了去除7050晶振晶片的边缘效应,在实际操作中机器运动方式设计、滚筒的曲率半径、滚筒的长短、使用的研磨砂的型号、多少、填充物种类及多少等各项设计必须合理,有一项不完善都会使晶振晶片的边缘效应不能去除,而石英晶振晶片的谐振电阻过大,用在电路中Q值过小,从而电路不能振动或振动了不稳定.
希华晶振科技有限公司成立于1988年,希华晶振公司正式成立, 资本额为1,500万元整,开始以普通石英晶振频率控制元件之研发、设计、生产与销售.从人工晶棒长成到最终产品,透过最佳团队组合及先进之生产技术,建立完整的产品线,包含人工水晶、石英晶片、SAW WAFER,以及石英晶振、石英晶体振荡器、石英晶体滤波器、温补晶振及电压控制型产品等,以健全的供应炼系统,为客户提供全方位的服务.
希华晶振 |
STO-7050B晶振 |
输出类型 |
CMOS |
输出负载 |
15pF |
振荡模式 |
基本/第三泛音 |
电源电压 |
+2.5V,+2.8V,+3.3V |
频率范围 |
4~54MHz |
频率稳定度 |
±1.5ppm |
工作温度 |
-30~+75℃ |
保存温度 |
-40~+125℃ |
电压卷(最大值)/ VOH(最小值) |
0.1 VDD / 0.9 VDD |
启动时间 |
5 ms Max. |
相位抖动(12兆赫~20兆赫) |
1个PS最大。 |
老化率 |
±3 ppm /年最大。 |
噪音
在电源或输入端上施加执行级别(过高)的不相干(外部的)噪音,可能导致会引发贴片晶振功能失常或击穿的闭门或杂散现象.
电源线路
电源的线路阻抗应尽可能低.
输出负载
建议将输出负载安装在尽可能靠近石英振荡器的地方(在20mm范围之间).
在一个不同扩张系数电路板(环氧玻璃)上焊接石英晶振产品时,在温度长时间重复变化时可能导致端子焊接部分发生断裂,请事先检查焊接特性.
自动安装和真空化引发的冲击会破坏产品特性并影响这些进口晶体振荡器.请设置安装条件以尽可能将冲击降至低,并确保在安装前未对产品特性产生影响.
加热包装材料至+150°C以上会破坏产品特性或损害谐振器.如需在+150°C以上焊接晶体产品,建议使用SMD晶体.
在更高或更低温度或高湿度环境下长时间保存进口石英晶振产品时,会影响频率稳定性或焊接性.请在正常温度和湿度环境下保存这些晶体产品,并在开封后尽可能进行安装,以免长期储藏
希华晶振集团认识到进行环境管理和资源保持的责任和必要性,同时也认识到针对全球环境问题,为保持国际环境而进行各行业建设性的合作是极其重要的.
过去希华晶振集团已经针对重大污染控制项目建立了一整套记录程序并且将继续识别解决其自身环境污染及保持问题,加强责任感以便进行环境绩效的持续改进.
希华晶振集团将:不论何时何地在生产有源晶振的同时尽可能的进行源头污染预防.为环境目标指标的建立与评审提供框架.通过充分利用或回收等方法实现对自然资源的保持.
希华晶振通过追求以QMEMS技术为核心的“省、小、精”技术,来推动具有领先性的环保活动,把降低环境负荷作为一种顾客价值提供给顾客.
创造并提供专研了“省、小、精”的32.768K钟表晶振,温补晶振,石英晶振,无源晶振,压控振荡器等水晶元器件及其关联产品;并且构筑和革新既可以降低环境负荷又可以提高生产性的生产流程的活动.
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