530FC50M0000DG Si530有源振荡器 美国Silicon晶振 6G以太网差分晶振
频率：50MHZ
尺寸：7.00mmx5.00mm
530FC50M0000DG Si530有源振荡器 美国Silicon晶振 6G以太网差分晶振，尺寸为7.00mmx5.00mm，频率为50MHZ，输出逻辑LVDS ，差分晶振，LVDS输出晶振，差分晶体振荡器，石英晶体振荡器，有源振荡器，有源贴片晶振，7050mm有源晶振，视频专用差分晶振，网络差分晶振，测试测量差分晶振，Si530/531 XO采用Skyworks Solutions的先进DSPLL®电路以提供高频下的低抖动时钟。提供Si530/531具有从10到945MHz的任意速率输出频率，并选择频率1400兆赫。与传统XO不同，在传统XO中每个输出频率，Si530/531使用一个固定晶体来提供宽范围的输出频率.
有源晶振非常适合用于声纳/SDH，网络，SD/HD视频，测试和测量，时钟和数据恢复，FPGA/ASIC时钟生成等领域.530FC50M0000DG Si530有源振荡器 美国Silicon晶振 6G以太网差分晶振.
530FC50M0000DG Si530有源振荡器 美国Silicon晶振 6G以太网差分晶振，尺寸为7.00mmx5.00mm，频率为50MHZ，输出逻辑LVDS ，差分晶振，LVDS输出晶振，差分晶体振荡器，石英晶体振荡器，有源振荡器，有源贴片晶振，7050mm有源晶振，视频专用差分晶振，网络差分晶振，测试测量差分晶振，Si530/531 XO采用Skyworks Solutions的先进DSPLL®电路以提供高频下的低抖动时钟。提供Si530/531具有从10到945MHz的任意速率输出频率，并选择频率1400兆赫。与传统XO不同，在传统XO中每个输出频率，Si530/531使用一个固定晶体来提供宽范围的输出频率.
有源晶振非常适合用于声纳/SDH，网络，SD/HD视频，测试和测量，时钟和数据恢复，FPGA/ASIC时钟生成等领域.530FC50M0000DG Si530有源振荡器 美国Silicon晶振 6G以太网差分晶振.
530FC50M0000DG Si530有源振荡器 美国Silicon晶振 6G以太网差分晶振 参数表
| Parameter | Symbol | Test Condition | Min | Typ | Max | Unit | |||||||||||||||||
| Supply Voltage1 | V DD | 3.3 V option | 2.97 | 3.3 | 3.63 | V | |||||||||||||||||
| 2.5 V option | 2.25 | 2.5 | 2.75 | V | |||||||||||||||||||
| 1.8 V option | 1.71 | 1.8 | 1.89 | V | |||||||||||||||||||
| Supply Current | IDD |
Output enabled LVPECL CML LVDS CMOS |
— — — — |
111 99 90 81 |
121 108 98 88 |
mA | |||||||||||||||||
| Tristate mode | — | 60 | 75 | mA | |||||||||||||||||||
| Output Enable (OE)2 | VIH | 0.75 x V DD | — | — | V | ||||||||||||||||||
| VIL | — | — | 0.5 | V | |||||||||||||||||||
| Operating Temperature Range | TA | –40 | — | 85 | ºC | ||||||||||||||||||
| Parameter | Symbol | Test Condition | Min | Typ | Max | Unit | |||||||||||||||||
| Nominal Frequency1,2 | fO | LVPECL/LVDS/CML | 10 | — | 945 | MHz | |||||||||||||||||
| CMOS | 10 | — | 160 | MHz | |||||||||||||||||||
| Initial Accuracy | fi |
Measured at +25 °C at time of shipping |
— | ±1.5 | — | ppm | |||||||||||||||||
| Temperature Stability1,3 |
–7 –20 –50 |
— |
+7 +20 +50 |
ppm | |||||||||||||||||||
| Aging | fa | Frequency drift over first year | — | — | ±3 | ppm | |||||||||||||||||
|
Frequency drift over 20 year life |
— | — | ±10 | ppm | |||||||||||||||||||
| Parameter | Symbol | Test Condition | Min | Typ | Max | Unit | |||||||||||||||||
| Total Stability | Temp stability = ±7 ppm | — | — | ±20 | ppm | ||||||||||||||||||
| Temp stability = ±20 ppm | — | — | ±31.5 | ppm | |||||||||||||||||||
| Temp stability = ±50 ppm | ±61.5 | ppm | |||||||||||||||||||||
| Powerup Time4 | tOSC | 10 | ms | ||||||||||||||||||||
| Parameter | Symbol | Test Condition | Min | Typ | Max | Unit | |||||||||||||||||
| LVPECL Output Option1 | VO | mid-level | V DD – 1.42 | — | V DD – 1.25 | V | |||||||||||||||||
| VOD | swing (diff) | 1.1 | — | 1.9 | VPP | ||||||||||||||||||
| VSE | swing (single-ended) | 0.55 | — | 0.95 | VPP | ||||||||||||||||||
| LVDS Output Option2 | VO | mid-level | 1.125 | 1.20 | 1.275 | V | |||||||||||||||||
| VOD | swing (diff) | 0.5 | 0.7 | 0.9 | VPP | ||||||||||||||||||
| CML Output Option2 | VO | 2.5/3.3 V option mid-level | V DD – 1.30 | V | |||||||||||||||||||
| 1.8 V option mid-level | V DD – 0.36 | V | |||||||||||||||||||||
| VOD | 2.5/3.3 V option swing (diff) | 1.10 | 1.50 | 1.90 | VPP | ||||||||||||||||||
| 1.8 V option swing (diff) | 0.35 | 0.425 | 0.50 | VPP | |||||||||||||||||||
| CMOS Output Option3 | V OH | I OH= 32 mA | 0.8 x V DD | V DD | V | ||||||||||||||||||
| VOL | I OL= 32 mA | 0.4 | V | ||||||||||||||||||||
| Rise/Fall time (20/80%) | tR,t F | LVPECL/LVDS/CML | 350 | ps | |||||||||||||||||||
| CMOS with CL= 15 pF | 1 | ns | |||||||||||||||||||||
| Symmetry (duty cycle) | SYM |
LVPECL: (diff) LVDS: CMOS: |
V DD – 1.3 V 1.25 V (diff) V DD/2 |
45 | 55 | % | |||||||||||||||||
530FC50M0000DG Si530有源振荡器 美国Silicon晶振 6G以太网差分晶振 尺寸图
差分晶振产品特性：
可用于任何速率输出
频率从10兆赫到945兆赫
并选择1.4 GHz的频率
具有卓越性能的第三代DSPLL®
抖动性能
频率稳定性比
SAW振荡器
内部固定晶体频率
确保高可靠性和低成本
变老
可用的CMOS、LVPECL、，LVDS和CML输出
3.3、2.5和1.8 V电源选项
行业标准5 x 7毫米
包装和引脚
无铅/符合RoHS
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| Manufacturer Part Number原厂代码 | 晶振厂家 | Series型号 | Frequency 频率 | Voltage - Supply电压 | Frequency Stability频率稳定度 |
| 531EC156M250DG | Silicon振荡器 | Si531 | 156.25MHz | 2.5V | ±7ppm |
| 530FC155M520DG | Silicon振荡器 | Si530 | 155.52MHz | 2.5V | ±7ppm |
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| 530FC148M500DG | Silicon振荡器 | Si530 | 148.5MHz | 2.5V | ±7ppm |
| 536AB125M000DG | Silicon振荡器 | Si536 | 125MHz | 3.3V | ±20ppm |
| 535EB125M000DG | Silicon振荡器 | Si535 | 125MHz | 2.5V | ±20ppm |
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| 530EC311M040DG | Silicon振荡器 | Si530 | 311.04MHz | 2.5V | ±7ppm |
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| 531AC311M040DG | Silicon振荡器 | Si531 | 311.04MHz | 3.3V | ±7ppm |
| 531BC311M040DG | Silicon振荡器 | Si531 | 311.04MHz | 3.3V | ±7ppm |
| 531EC311M040DG | Silicon振荡器 | Si531 | 311.04MHz | 2.5V | ±7ppm |
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| 531FC311M040DG | Silicon振荡器 | Si531 | 311.04MHz | 2.5V | ±7ppm |
| 530BC311M040DG | Silicon振荡器 | Si530 | 311.04MHz | 3.3V | ±7ppm |
| 531BC622M080DG | Silicon振荡器 | Si531 | 622.08MHz | 3.3V | ±7ppm |
| 531FC312M500DG | Silicon振荡器 | Si531 | 312.5MHz | 2.5V | ±7ppm |
| 530EC622M080DG | Silicon振荡器 | Si530 | 622.08MHz | 2.5V | ±7ppm |
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| 530AC311M040DG | Silicon振荡器 | Si530 | 311.04MHz | 3.3V | ±7ppm |
| 530FC312M500DG | Silicon振荡器 | Si530 | 312.5MHz | 2.5V | ±7ppm |
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| 535AB125M000DG | Silicon振荡器 | Si535 | 125MHz | 3.3V | ±20ppm |
| 501AAA27M0000DAF | Silicon振荡器 | Si501 | 27MHz | 1.7 V ~ 3.6 V | ±50ppm |
| 501AAA27M0000DAG | Silicon振荡器 | Si501 | 27MHz | 1.7 V ~ 3.6 V | ±50ppm |
| 501JCA100M000CAG | Silicon振荡器 | Si501 | 100MHz | 3.3V | ±20ppm |
| 501JCA100M000BAG | Silicon振荡器 | Si501 | 100MHz | 3.3V | ±20ppm |
| 501HCAM032768BAF | Silicon振荡器 | Si501 | 32.768kHz | 1.7 V ~ 3.6 V | ±20ppm |
| 501BCAM032768DAG | Silicon振荡器 | Si501 | 32.768kHz | 3.3V | ±20ppm |
| 501JCAM032768DAG | Silicon振荡器 | Si501 | 32.768kHz | 3.3V | ±20ppm |
| SI50122-A1-GM | Silicon振荡器 | SI50122-A1 | 100MHz | 2.25 V ~ 3.63 V | +100ppm |
| SI50122-A2-GM | Silicon振荡器 | SI50122-A2 | 100MHz | 2.25 V ~ 3.63 V | +100ppm |
| 511SAA100M000AAG | Silicon振荡器 | Si511 | 100MHz | 1.8V | ±50ppm |
| 510BCA148M500BAG | Silicon振荡器 | Si510 | 148.5MHz | 3.3V | ±20ppm |
| 530AA156M250DG | Silicon振荡器 | Si530 | 156.25MHz | 3.3V | ±50ppm |
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