希华时钟晶体振荡器提供领先全球的理想方案，随着各种高速串流资料讯号广泛使用，需要更高频的时脉讯号源，但传统机械（研磨）工法，已无法满足更高的频率需求，遂将半导体晶圆制程应用在石英晶片产业，使高频化、小型化、高精度振荡器产品得以实现，工法如下

1.应用光蚀刻工法，可轻易在wafer状态（晶圆级）下，一批次将数万颗石英晶体振荡器完成厚度加工达到所需要的频率。

2.同样应用光蚀刻工法，在wafer状态下，一批次将数万颗晶体振荡器完成晶片外型，且用光蚀刻法轻易将产品小型化，尺寸一致性更高，精度更好。

3.接着用同样工法完成发振区电极回路。

为什么要光刻？

1.小型化
（目前可至0806）
采用半导体制程，满足客户小型化产品需求

2.高频化
（max500MHz）

3D设计凹槽结构，强化晶片刚性满足客户高频化需求

3.高精度
（Accuracy 2um）

批次生产，高对位精度产品，满足客户对电性及品质稳定度的需求

光蚀刻制程克服高频晶片技术障碍

由于石英晶片机械加工极限厚度约30um （55MHz），所以更高频率晶片（一般指基本波60MHz以上），需采用光蚀刻制程克服技术障碍。
* 石英晶片厚度越薄，晶体单元的频率越高，传统晶片采用机械加工厚度有局限性，最薄约30um（55MHz左右振荡频率）
* 使用光蚀刻制程，可3D结构设计阶梯结构及凹槽结构，强化晶片刚性，让振荡区厚度不受局限，使产品更易小型化、高频化、特性更好。希华时钟晶体振荡器提供领先全球的理想方案.

由于更高频率晶片厚度偏太薄，晶片刚性不够，使用光蚀刻制程，结构可阶梯结构3D化设计，让振荡区厚度不受局限，一般可达到3~30um的技术需求，如图示：

传统晶片 & 光蚀刻晶片比较

产品品质比较

采用光蚀刻制程在稳定度及精密度均优于传统制程晶片，品质一致性高

传统晶片制程：

1. 此作法先将石英晶柱，经2次线切割形成单体小晶片
2. 单体晶片再经研磨、斜面加工、组装镀膜，变异度高
3. 不易进行薄型化、小型化精密加工

产品电性比较

采用光蚀刻制程在电性表现上优于传统制程晶片，因为光蚀刻结构的Mesa AT晶片，具有以下特点：
1. 可精确掌控晶片尺寸
2. 3D结构设计
使得每个石英晶振的特性都可达到非常稳定的一致性，所以频率特性较传统晶片稳定，如图

希华晶体承诺所有的运作皆遵守本地国家的法律，并符合国际上所共同认知环保与社会责任的标准，成为一个创造股东最大权益、照顾员工、善尽社会责任的好公司。

敏锐地掌握电子产品轻薄短小化、快速光电宽频传输与高频通讯的发展主流，致力于开发小型化、高频与光电领域等产品，与日本同业并驾齐驱。且深耕微机电(MEMS)技术领域，加速导入TF SMD Crystal的量产，藉以扩大公司营收规模并且提升获利空间。