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Euroquartz宣布推出新型高频超低抖动振荡器

频率控制专家Euroquartz晶振公司宣布推出两个新系列的振荡器。这款新型振荡器在英国生产，具有150fs的超低相位抖动，频率范围为50至2100MHz，有LVPECL、LVDS和CML差分等多种输出可供选择。高电流导引逻辑(HCSL)差分输出可用于高达700MHz的振荡器
EQJF系列振荡器提供1.8、2.5或3.3V的电源电压选择，LVPECL只有2.5和3.3V。在商用(-10至+70°C)和工业(-40至+85°C)温度范围内，频率稳定性规格分别为25、50和100ppm，可根据特殊订单提供更严格的定制选项。
作为EQJF系列的补充，EQVJF系列压控晶体振荡器(VCXO晶振)提供150至2100MHz (HCSL 150至700MHz)的频率，具有相同的选项和相似的均方根相位抖动性能。
两个范围的第一年最大老化为3ppm(此后每年2ppm)，占空比为50%±5%，上升时间最大值为0.35ns为0.4ns)，典型功耗为70至100mA，具体取决于所选的输出逻辑。其它特性包括启动时间典型值为5毫秒，最大值为10毫秒，以及输出使能/禁用功能。
新款EQJF差分晶体振荡器和EQVJF VCXOs符合RoHS标准，采用工业标准8引脚、7x5mm表贴封装，能够承受260°C温度10秒钟，持续两次。

CRYSTEK CMOS OSCILLATOR CRYSTAL，世界级一流的供应商Crystek公司，致力于走在技术的最前沿，并通过自身的努力，不断为广泛应用市场提供高质量低成本的石英晶体振荡器产品，随着自身的实力增长，开始针对振荡器产品进行深入探究，并将自身的知识分享于网络之中，在为用户提供价值的同时，不断打磨自身的产品，使得其能够成为受欢迎的供应商，也能源源不断为行业提供更多优秀的产品。

大多数IC带有内置进口晶体振荡器电路采用Gated-Pierce设计，其中振荡器是围绕单个CMOS反相门构建的。对于振荡器的应用这通常是一个单一的反相包括一个P通道和一个N通道的级增强型MOSFET，更常见在数字世界中，作为一个无缓冲逆变器（见图。1） 。可以使用缓冲逆变器（通常包括三个串联的P-N MOSFET对），但是数千的相关收益将导致可能不太稳定的成品振荡器。

一个实用的振荡器电路如图2所示包括所述未缓冲反相器、两个电容器，两个电阻器和石英晶体。了解如何该振荡器工作CMOS反相门必须被视为具有增益、相位和传播延迟约束，而不是作为逻辑设备使用1和0。

图3显示了直流传输特性（Vin与。Vout）和未缓冲的DC偏置点线HCMOS逆变器74HCU04。在3.3V和1M? 对于Rf，逆变器将与其输入和输出一起放置电压约为1.65V。这种逆变器现在被认为是在其线性区域中被偏置。输入的微小变化电压将被增益放大，并显示为输出电压的变化较大。

图4显示了一组典型的开环增益曲线相同的74HCU04。在3.3V时，逆变器的增益为20（26 dBV）从DC到2MHz，具有3dB衰减频率为8.5MHz，并且看起来仍然具有增益超过100MHz。

为了将这种偏置反相门用作振荡器，它必须具有足够的增益克服了反馈网络的损耗（图中的C1、C2、Rlim和石英晶体。2） ，振荡频率下的负电阻足以超过晶体等效串联电阻，以及整个电路周围的相移360度。人们很容易想到这种74HCU04逆变器可以用来制造工作频率超过100MHz的振荡器，因为它在3.3V时有足够的增益，但实际上由于各种振荡器环路周围的相移。CRYSTEK CMOS OSCILLATOR CRYSTAL.
该电路的分析很难概括，因为它非常依赖于家族所使用的CMOS门以及该特定CMOS家族的内部构造。全部的CMOS反相门具有输入电容、输出电容和输出“电阻”和传播延迟，所有这些都会影响C1、C2和Rlim的选择如图2所示，并最终确定有源晶振的较高工作频率。选择偏置电阻器Rf通常在1M之间? 和10M, 降低一个值将有效出现在水晶上，并可能导致水晶在杂散或泛音频率。
考虑一个ESR为15的20MHz晶体, 3pF的C0，需要负载电容为20pF，晶体功耗约为100µW。
从20pF的期望负载电容开始，这可以近似为C1+栅极输入电容（1至5pF是典型值）与C2串联。C1的比率至C2将影响增益和晶体功率耗散。一个好的起点是C1≈C2。为了增加环路增益（并降低晶体功耗），使C1＜C2。这对于负载电容为20pF，栅极具有~3pF的输入电容。

美国拉隆时钟晶体振荡器简介，优秀的拉隆公司，凭借着自身的努力，成为电子行业的佼佼者，致力于为世界传递更多的美好，并专注于为广泛用于市场提供品质优良，性能优越的产品，其中最为主流的产品当属有源贴片晶振，产品被广泛用于仪器设备，无线应用，汽车音响，通讯设备，蓝牙模块等领域，同时也得到广大用户的高度认可与支持，促使Raltron公司有更大动力打磨自身的产品。

使用LDO、扼流圈和电容器的完整电路配置。 提供出色的电源降噪性能，但占用过多空间，而且成本高昂，因为 使用的组件数量。仅推荐用于空间不重要的应用。

仅使用滤波电容的简单电路配置。 提供合理的电源噪声降低，主要基于进口晶体振荡器内部滤波，但使用 最佳空间，并且由于使用的部件数量有限，成本不高。仅推荐 适用于板载电源相当干净的应用。

使用LDO和滤波电容器的简化电路配置。与电路配置1和2相比，由于其卓越的性能，提供了更好的电源降噪功能LDO提供的噪声降低。PCB空间利用率得到优化，因为选择LDO。此解决方案推荐用于小型光学收发器等应用其中空间是非常宝贵的并且期望增加PSRR。
 电源噪声抑制定义了电路消除各种噪声影响的效果通过其电源输入（Vcc引脚）注入其中的频率。电源抑制Ratio）是电路输入电压变化与电路输出电压变化的比率。

可以通过利用滤波电路来优化电源噪声抑制。最常见的滤波器是各种值的电容器、电感器（扼流圈）和线性稳压器（LDO-低损耗调节器）。

为了获得最佳结果，需要使用几种或所有这些类型的过滤器的组合。挑战在于在冲突参数之间找到最佳折衷解决方案：最佳PSRR一般与所用滤波元件的数量成比例，PCB空间为越来越多的溢价和成本。
测试包括向振荡器电源引脚注入100mV的交流波形振幅，并测量有源晶振输出端为输入信号产生的相位噪声尖峰10 kHz、100kHz、1MHz和10MHz的频率。然后比较杂散振幅提出的三种电路配置。
测试设备：相位噪声分析仪安捷伦E5052B，信号发生器安捷伦33250A。条件：Vcc=2.5V

AC正弦波信号在下面指示的点C处被注入到电路中，并且波形在C点测量振幅为100mV。信号频率从10kHz依次修改为
分别为100kHz、1MHz和10MHz，并在每种情况下测量相位噪声。测量值为利用下面的电路在室温下制造，

建议使用以下成分值：C1=0.1µF，C2=0.01µF，C3=20.1µF。旁通电容器必须尽可能靠近Vcc和GND引脚。它们充当低通滤波器。这个电感器L（L=4.7µH）只是测试夹具的一部分，用于防止注入的交流正弦波信号接地。美国拉隆时钟晶体振荡器简介.

测试设备：相位噪声分析仪安捷伦E5052B，信号发生器安捷伦33250A。
条件：Vcc=2.5V，LDO VIN=Vcc+1V
AC正弦波信号在下面指示的点C处被注入到电路中，并且波形在C点测量振幅为100mV。信号频率从10kHz依次修改为
分别为100kHz、1MHz和10MHz，并在每种情况下测量相位噪声。测量值为利用下面的电路在室温下制造.

建议使用以下成分值：C1=1µF，C2=0.1µF，C3=20.1µF，C4=1µF。旁路电容器必须尽可能靠近Vcc和GND引脚。电感器L（L=4.7µH）只是测试夹具，以防止注入的AC正弦波信号接地。LDO（Low Dropout稳压器）。ON半导体LDO P.N.CNP167AFCT330T2G已成功测试。LDO性能优于先前解决方案中使用的滤波器的性能。

超低RMS抖动XO有源晶振具备出色的性能AK5DAF1-156.2500T2,6G晶振物料，出色的Abracon艾博康公司是一家非常知名的供应商，通过自身的努力，在短短几年之间快速崛起，为艾博康公司未来发展打下极好的基础，敢于不断突破自我极限的Abracon，深知自身的所遇到的困难，并将困难化成好运，于是并切合当下实际情况进行全面分析，同时也在当时开发极其具有竞争力的ClearClock振荡器系列|低抖动的XO时钟晶体振荡器编码AK5DAF1-156.2500T2，型号 AK5，尺寸为5.0mmx3.20mm，频率为156.25MHZ，产品特性：第三泛音解，超低抖动:75fs典型值RMS (F=156.25MHz LVPECL) 频率范围:100MHz至212.5MHz，同类产品中功耗最低(典型LVDS为16mA)，20ppm和25ppm稳定性选项(-40至+85°C)，可用(取决于频率) 3.3V、2.5V、1.8V，Vdd电源 LVPECL、LVDS和HCSL差分输出选项，输出使能标准.

产品主要应用范围：网络和通信,千兆以太网,光纤通道,SONET/SDH,射频系统、基站(BTS),数据中心,PCI,Express,测试和测量等领域。

近年来，市场对系统时钟抖动要求愈加严格。大多数应用要求在156.25MHz载波的12kHz至20MHz 带宽上，最大的RMS抖动上限为200fs。鉴于市场对超低RMS抖动时钟解决方案的需求不断增长，Abracon 公司始终致力于提高解决方案的性能特点，同时减小器件封装尺寸。 

NDK晶振NV5032S压控晶体振荡器，小体积晶振尺寸5032压控晶体振荡器，六角贴片石英晶振，固定通信用VCXO

特征：
频率可覆盖15MHz to 2100MHz间的广泛范围(设定分解能：2×10-9)。
频率选择功能可从Dual、Quad、Any Rate中选择
低抖动特性：Typ. 130fs rms (@622.08MHz)
可对应5种输出方式：CMOS、LVPECL、LVDS、CML、HCSL差分晶体振荡器
为对应低电源电压：+1.8V, +2.5V, +3.3V
可选择频率可变范围 : Min. ±50×10-6～±250×10-6的范围内分9个等级

NV5032S压控晶体振荡器,NV5032SK-644.5313APHDCA,小体积晶振,差分晶振