富士晶振,石英晶振,FVD-700晶体振荡子
频率：1~800MHz
尺寸：7.0*5.0*1.8mm
富士晶振,石英晶振,FVD-700晶体振荡子,普通石英晶振,外观完全使用金属材料封装的,产品本身采用全自动石英晶体检测仪,以及跌落,漏气等苛刻实验.产品本身具有高稳定性,高可靠性的石英晶体谐振器,焊接方面支持表面贴装,外观采用金属封装,具有充分的密封性能.
石英晶体谐振器的研磨技术:通过对晶振切割整形后的晶片进行研磨,使石英晶振的晶片达到(厚度/频率)的一定范围.石英晶振晶片厚度与频率的关系为:在压电晶体行业,生产晶振频率的高低是显示鸿星技术水平的一个方面,通过理论与实际相结合,累积多年的晶振研磨经验,通过深入细致地完善石英晶振研磨工艺技术.
富士晶振公司股份有限公司位于日本山梨县南都留郡富士河口湖町胜山1430-1,富士晶振公司主要以石英晶振,电子元件,三端稳压管,LED照明,高压电容器,薄膜电容器等产品的生产与开发,在于2013年开始处理,软件的开发,今后在有线、无线通信设备的本公司商品化目标.今后更能迅速满足市场的需求.目前针对中国市场主要以石英晶振,石英晶体谐振器,时钟晶体振荡器,有源晶振系列产品作为主打.
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富士晶振规格 |
符号 |
FVD-700 |
条件 |
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输出频率范围 |
f0 |
1~800MHz |
请联系我们以便获取其它可用频率的相关信息 |
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电源电压 |
VCC |
3.3V |
请联系我们以了解更多相关信息 |
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储存温度 |
T_stg |
-55℃~+125℃ |
裸存 |
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工作温度 |
T_use |
-40℃~+85℃ |
请联系我们查看更多资料www.ndkcrystal.net/ |
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频率稳定度 |
f_tol |
J:±25×10-6 |
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L:±50×10-6 |
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T:±100×10-6 |
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功耗 |
ICC |
3.5mAMax. |
无负载条件、最大工作频率 |
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待机电流 |
I_std |
3.3μAMax. |
ST=GND |
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占空比 |
SYM |
45%to55% |
50%VDD极,LVDS≦15pF |
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输出电压 |
VOH |
VCC-0.4VMin. |
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VOL |
0.4VMax. |
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输出负载条件 |
L_CMOS |
15pFMax. |
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输入电压 |
VIH |
80%VCCMax. |
ST终端 |
|
VIL |
20%VCCMax. |
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上升/下降时间 |
tr/tf |
4nsMax. |
20%VCC~80%VCC极,LVDSL=15pF |
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振荡启动时间 |
t_str |
3msMax. |
t=0at90% |
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频率老化 |
f_aging |
±3×10-6/yearMax. |
+25℃,初年度,第一年 |
噪音
在电源或输入端上施加执行级别(过高)的不相干(外部的)噪音,可能导致会引发7.0x5.0晶体功能失常或击穿的闭门或杂散现象.
电源线路
电源的线路阻抗应尽可能低.
输出负载
建议将输出负载安装在尽可能靠近石英振荡器的地方(在20mm范围之间).
在一个不同扩张系数电路板(环氧玻璃)上焊接陶瓷谐振器产品时,在温度长时间重复变化时可能导致端子焊接部分发生断裂,请事先检查焊接特性.
自动安装和真空化引发的冲击会破坏产品特性并影响这些日本进口晶振.请设置安装条件以尽可能将冲击降至低,并确保在安装前未对产品特性产生影响.
加热包装材料至+150°C以上会破坏产品特性或损害谐振器.如需在+150°C以上焊接晶体产品,建议使用SMD晶体.
在更高或更低温度或高湿度环境下长时间保存石英晶振产品时,会影响频率稳定性或焊接性.请在正常温度和湿度环境下保存这些晶体产品,并在开封后尽可能进行安装,以免长期储藏.
富士晶振集团认识到进行环境管理和资源保持的责任和必要性,同时也认识到针对全球环境问题,为保持国际环境而进行各行业建设性的合作是极其重要的.
过去富士晶振集团已经针对重大污染控制项目建立了一整套记录程序并且将继续识别解决其自身环境污染及保持问题,加强责任感以便进行环境绩效的持续改进.
富士晶振集团将：不论何时何地生产晶振的同时尽可能的进行源头污染预防.为环境目标指标的建立与评审提供框架.通过充分利用或回收等方法实现对自然资源的保持.
富士晶振通过追求以QMEMS技术为核心的“省、小、精”技术,来推动具有领先性的环保活动,把降低环境负荷作为一种顾客价值提供给顾客.
创造并提供专研了“省、小、精”的32.768K钟表晶振,温补晶振晶振,石英晶振,无源晶振,压控振荡器等水晶元器件及其关联产品；并且构筑和革新既可以降低环境负荷又可以提高生产性的生产流程的活动.
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